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氧化镍靶材溅射参数

2024-08-08 11:43来源:蒂姆新材料作者:蒂姆新材料网址:http://www.dmmaterial.com

氧化镍靶材溅射参数

氧化镍(Ni0)靶材是一种常见的用于溅射制备薄膜的材料,具有良好的化学稳定性和光电性能,被广泛应用于光伏、显示器件、传感器等领域。在溅射制备过程中,溅射参数的选择对薄膜性能和成膜率具有重要影响。本文将对氧化镍靶材溅射参数进行详细介绍。

一、靶材制备和性能分析

1.靶材制备

氧化镍靶材通常采用粉末冶金法进行制备。制备工艺包括原料配比、混合、压制和烧结等步骤。在原料配比中,通常选用高纯度的氧化镍粉末,并加入适量的添加剂以提高靶材的致密性和结晶度。混合过程中需要保证原料均匀混合,以确保靶材的均匀性。在压制和烧结过程中,需要控制好温度和压力,以获得致密、晶粒细小的氧化镍靶材。

2.靶材性能

氧化镍靶材通常具有高密度、均匀的化学成分和良好的结品性。靶材表面平整,无裂纹和气孔,表面粗糙度较小。靶材的理论密度为7.64 g/cm',折射率在400-700nm波段约为2.1-2.2,这些性能特征对薄膜的制备至关重要。

二、溅射参数及其影响

1.溅射气体

在氧化镍靶材的溅射过程中,通常选择氩气或氩气作为惰性气体。惰性气体的选择对薄膜的致密性和结晶度有一定影响。氩气溅射可获得较高的结晶质量,有利于薄膜光学性能的提高。

2.溅射功率

溅射功率是影响溅射薄膜性能的重要参数之一。通常情况下,随着溅射功率的增加,薄膜的成核和生长速率增加,但同时也容易出现热应力和结品度下降的现象。在选择溅射功率时需要综合考虑薄膜质量和生长速率之间的平衡。

3.靶-基底距离

靶-基底距离对薄膜的成核和结晶生长有重要影响。一般来说,靶-基底距离越小,薄膜的成核和生长速率越快,但也容易引起靶材颗粒的溅射。需要根据实际情况选择合适的靶-基底距离,以确保薄膜的均匀性和质量。

4.溅射时间

溅射时间是控制薄膜厚度的重要参数。通过控制溅射时间,可以实现对薄膜厚度的精确控制。在实际应用中,需要根据需要的薄膜厚度和生长速率选择合适的溅射时间。

5.基底温度

基底温度对薄膜的结晶度和致密性有重要影响。一般来说,提高基底温度有利于薄膜的结晶生长和致密性的提高,但也要注意避免对基底材料的热损伤。

三、结论

通过合理选择氧化镍靶材的溅射参数,可以获得高质量的氧化镍薄膜。在实际生产中,需要根据具体要求和设备条件综合考虑各项溅射参数,以达到最佳的薄膜制备效果。在今后的研究和生产中,可以进一步优化溅射参数,提高靶材利用率和薄膜质量,推动氧化镍薄膜在光电器件领域的应用。



蒂姆(北京)新材料科技有限公司

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