二氧化铪，化学式为HfO₂，是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它最可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO₂)，以解决目前MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。

一、物理性质：

化学符号：HfO2

外      观：白色

分 子 量：210.49

密      度：9.7g/cm³

熔      点：2500℃

折 射 率（波长/nm）：1.9-2.1（300）

                       1.84-2.0（2500）

沸      点：5400℃

线膨胀系数：5.8×10-6/℃（250-1300）

10¯4真空下蒸发温度为：2500℃

蒸发方式：电子束

透明波段/nm：235-2500

介电常数：20.5-23

比      容：0.05μF/cm2

电容温度系数TCC：（1.25～2.50）×10-4/℃

性     能：适于电子枪蒸发，成膜致密稳定。紫外波段的优良材料。不溶于水，耐化学性质，但在高温下能与氢氧化物起反应，膜坚硬；

应     用：主要用于紫外膜、防反膜或高反膜和耐火材料、紫外-近红外多层膜。

             HfO2薄膜是一种绝缘氧化物，即可做薄膜电阻，又可做介子薄膜，一般用溅射法沉积制备。

二、主要用途：

A.高纯度3N-4N5二氧化铪颗粒用于蒸发镀制金属薄膜，应用于半导体芯片、光电器件、传感器、OLED等不同行业。

B.低纯2N-3N二氧化铪颗粒颗用于常用来熔炼难熔金属和焊接钢轨，还用做炼钢过程中的脱氧剂。

三、适用领域：

蒸发镀膜

A.适用设备：蒸发镀膜设备、电子束蒸发镀膜设备等

B.适用设备品牌：国产品牌：中科科仪，金盛微纳，沈阳科仪等

进口品牌：爱发科，lesker，TOKKI，ULVAC，ULVAC，韩国SNU和SUNIC等

C. 适用规格：99.95% 1-4mm、靶材尺寸可定制

四、产品详细价格:

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