说到ITO真空镀膜机镀制ITO薄膜，可能大家不知道是什么东西，如果说手机屏幕上面有一层透视的触摸屏，大家就会恍然大悟，我们现在日常使用的手机，上面都用一种ITO薄膜材料，即实现了透视的效果，也实现了触屏的效果。近些年，手机更新换代，使用广泛，几乎人手一台，ITO薄膜可以说消耗量也是巨大的。今天小编要为大家讲的是ITO真空镀膜机薄膜制作的影响因素：

ITO真空镀膜机镀制ITO薄膜在溅镀过程中会产生不同的特性，有时候表面光洁度比较低，出现“麻点”的现象，有时候会出现高蚀间隔带，在蚀刻时还会出现直线放射型缺划或电阻偏高带，有时候会出现微晶沟缝。各种特性的产生一般取决于靶材和玻璃的选用，溅镀时所使用的温度和运动方式。

当前常用的ITO靶材制作是通过烧结法生产的，就是由氧化铟（In2O3）和氧化锡（SnO2）粉末按照一定的比例进行混合，通常质量比是90%In2O3和10% SnO2，再通过一系列的生产工艺加工成型后，以1400℃～1600℃高温通氧气烧结，最终形成的黑灰色陶瓷半导体（氧化铟锡，ITO）。一般通过外观就可以了解ITO靶材的质量，深灰色是最好的，相反越黑质量越差，我国生产的ITO靶材质量还可以的是黑灰色的。

研究显示，在ITO真空镀膜机镀制ITO薄膜溅镀过程中，使用磁控溅射的方式，基底温度控制在200℃左右可以保证薄膜85%以上高可见光透过率下，电阻率达到最低，而薄膜的结晶度也随着基底温度的提高而提高，晶粒尺寸也逐渐增大，超过200℃后透射率趋于减弱；使用电子束蒸镀的方式，随着退火温度升高，晶粒尺寸变大，表面形貌均一稳定，超过600℃后颗粒变得大小不一，形状各异，小颗粒团聚现象严重，薄膜表面形貌破坏。

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