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膜厚均匀性2021-03-24 11:01
![]() 膜厚均匀度是衡量薄膜质量和镀膜装置性能的一项重要指标。为提高膜厚均匀度,可以采取优化靶基距、改变基片运动方式、增加挡板机构和膜厚监控仪等措施。对于磁控溅射镀膜,由于其电磁场并非均匀,尤其是不均匀的磁场分布造成不均匀的等离子密度,导致靶原子的不均匀溅射和不均匀的沉积。 第一节 磁路布置 u磁场:在各种磁控溅射(包括直流磁控溅射和射频磁控溅射)靶中,束缚电子运动的磁场强度B是个极其重要的参数。主要是指靶面上最大平行磁场B1,该参数与所选用的磁体材料、磁体几何形状及其排列有关。 u改进磁路布置(其中包括磁体、极靴、间隙、形状等)能够改善磁场,拓宽靶刻蚀区和改善靶原子的沉积分布,从而提高膜厚的均匀度。 改变磁体形状等因素,就改变了磁场分布,进而改变了靶材的刻蚀情况。显然第二种情况优于第一种情况。 第二节靶——基距 u任何一台具体的溅射镀膜装置,与最佳的镀膜均匀度相对应,存在一个最佳的靶基距。 u圆形平面磁控靶的靶——基距 R1为刻蚀区内半径; R2为刻蚀区外半径; 经过计算,得出此类型溅射靶的最佳靶基距离h≈2R2。 u平面磁控靶的靶——基距
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